Page 130 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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         10~450MHz :Ÿ M§ÚÒô, š›âÂöo*+                        :#¨0bÚ, l0çºo&° D, 0õ Q w õ ¸ ¯
         T5 6.2℃; ¥ 32kV(500pF 0g»¼ 5000Ω0&                  3; ê—þ–O‚oål0ç:#¨0bÚ, l0ç’
         ¹0) :¡0"#ôVWBC。                                     ½_#¨, yßt0¬KĒ½$N~。ɸ²
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                                                             Ïãä, l0ç:#¨0bUHTU:]o, åæ@
                                                             UH}o:^1O‚’O=ׯ:>^, ÖBà.•
          a.sectionview ofthechip    b.planview ofthechip    ZÏaLÀmŒ。
                                [31]
         < 13 PNµ„¬­®123
                                                    [31]
         Fig.13 SchematicrepresentationofPN junctionigniter
           ÇþLu PN µ„:š›Ë 14\Ì。ɸ¥
         5»:!G۞$t»¼ PN µdjœŸ )¡
         0yˆ, çVW[›)^1[›ë! PN µ„¬­
         ®123L™。¡0àáâã, #¨0b5 500V:
         ;1š›, ¥Üy 500V:tõ0b,VÝ 30min:
         ÛXô, ;1š›ú]‡^1‡}。                                   < 15 l0çVW„123        [34]
                                                             Fig.15  Voltageprotectedsemiconductorbridgewithdielec
                                                                    [34]
                                                             triclayer

                                                               !`IuTUvw¥LÀ¹\!çka0123
                                                             :p0eqrTU—~, g?îåçjLÓ:hiC
                                                             ÷Zéè—vw。—=ÓBå!`n1:ƒ„QR„
                                                             0123TUééú€1šðvw, éUò¸à.h
                                                             ideŽç÷Z:EœD。
            a.sectionandplan      b.schematicdiagram ofthe
             view ofthechip       equivalentcircuitofthechip  3 ƒ„435
         < 14 PNµ„¬­®123        [32]
         Fig.14 SchematicrepresentationofPN junctionigniter [32]  °±ê!‰Š:jÓ, =þ¥0123:p0e
                                                             fgDTU!ùòë9a˜¶û, º­?^‹7X

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         \Bµ„¬­®¯NOP0>DO、 ¡0VWDO)                            Œ]aL8D0123, ýÔ^ùò¸áááW, W
         Ÿ VWDO:@A”。GTEM 0eÈÞàá)Ÿ                           ãaVWvw:—ßD。—=ÓBå12QR:0e
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         ¡0àáâãu۞¼\µ„¬­®NOP O d ï                           7XVW„TU、 0eqrô:àávw)™ÝC€
         25kV(10000pF 0g»¼ 5000Ω0&¹0) ¡0¹                    š›:hi, î厏„VWTU:0123hi


         CHINESEJOURNALOFENERGETICMATERIALS                  !"#$               2017% & 25' & 11( (954-963)
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