Page 129 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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                                                                           [30]
                                                                 Baginski Ï   ɸ ² % ¯3 : $ ò T U a L u
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         < 10 ©ª«¬­VWD¶çº;17              [28]             B, xŸ |¡0O‚€Ò123Ú, “Ô^O‚½
         Fig.10  Multilayercomposite filmssemiconductorbridge  _tÏo&ü:0&z{)ÁÂÃ, M—VWa¯3
         deviveincludingzenerdiodeforESD protection [28]     äåqB˜u*\。ÐÑãTUnoa¶·¹º1
                                                             23:Ÿ ¡0VWOs, g?¥à.•Z¸¹, ;
                                                             1M§:%ÒÓÔjìí’Oà‡EF;1, ÖmŒ
                                                             aç:÷Z。













                                            [29]
         < 11 ¯°±«¬­VW„¬­®¯123
         Fig.11  Schottky diodesforprotection ofsemiconductor
                   [29]
         bridgeigniter
                                                             < 12 Õ$0&VW„¯æ123            [30]
                                                             Fig.12  Bridgewire initiatorwith protection ofnonlinear
           ˜ýE€, =þB¶·¯)¬­®¯„0123
                                                                     [30]
                                                             resistances
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         ûáWÏ。ɸÊË^‹7XVWDTU\•Z:                             ºœ^1[›)0eyˆ[›:ƒ„QR0123。
                                                                       [31-32]
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         ChineseJournalofEnergeticMaterials,Vol.25,No.11,2017(954-963)  !"#$          www.energeticmaterials.org.cn
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