Page 128 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019

01230eqr‘÷D:hijkCk’ ９ ５ ９

®¯:p¡0DO。ã(ÅÆG©ª«¬­ë¬­ tâÂ， ,Zå$±F±µÊ:©ª«¬­， ©ª
®¯123jœaŽTU， noa123:Ž «¬­ë¶°5¯3º,¼µÊ， x—¡0"#Ú， ©
\)p¡0Os， g?ãTUꎏaLž=©ª ª«¬­A÷×1VW4Z。ãTU:vw¥åG
«¬­， IýêOBN~Lv=:¡0J"×1 ­É̐¯„TU)VW7Xjœaµ， ˜å­
VWßû， ýã(,úŸ çà.p¡0ßû。 ¯3:®srFµʗ}¶E²h‚， •9š›:
0&Oì91}yY³:²Œ； ýþ， ëFÂb/µÊ
qr˜， ãµÊ¥Q/¸¹Eÿ´µ1¯3)/0
:-.¶·,}f:²ŒQ/。

［２５］
< ７ ©ª«¬­VW„¬­®¯123
Ｆｉｇ．７ Ｚｅｎｅｒｄｉｏｄｅｆｏｒｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅｉｎｉ
［２５］
ｔｉａｔｏｒ ａ．ｗｉｔｈｏｕｔｚｅｎｅｒｄｉｏｄｅ

［２６］
２００１c，Ｂａｇｉｎｓｋｉ ÅÆG¯°±«¬­)¶·
¯jœaŽTU， (Z¯°±«¬­:#¨°Dd
jœ¡0yˆ， 皛¡÷Â)ย£ËË ８\
Ì。ã;1š›ö!ç5¶·ç， Zå$¶·¯3
)-.0¬； B0¬ô:«¢S5çjœ|¤， $t
 [$¥¦,§¨¶·©， ýÚ¶· 5-.$¯ ｂ．ｗｉｔｈｚｅｎｅｒｄｉｏｄｅ
°±«¬­， t¯°±«¬­ë¶·ª¯$,¼ < ９ ©ª«¬­VW„123 ［２７］
µÊ。àáâã㚛$a–— u ^ 1O ‚ :° D Ｆｉｇ．９ Ｚｅｎｅｒｄｉｏｄｅｆｏｒｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｎｉｔｉａｔｏｒ
［２７］
（２μ Ｆ／３０Ｖ） þ， 閗ve:p¡0DO。¡0¹
［２８］
0àá â ã ; 1 š › O ì ò ï ２５ ｋＶ（ È 0 0 g ２０１０c，ＭａｅｄａÏ TUaÇþLu_—©ª
１５０ｐＦ， ¹00& １５０Ω ） :¡0¹0"#—º^1。 «¬­:¶ ç   ¸ O ¹ º ; 1 š ›， ç µ Ê Ë １０
\Ì， ÿ5»:5±:,¢SL¹ç«¢S5， ɸ¥
«¢S5¹ç!jœYõD|¤， ,ÚÒLÀ¼\ž
½$ ｐ„¬­®， ʏ ＰＮµ:µÊ， ö2Z¶·Ï
¾t|¤]:¥¿， $t»¼©ª«¬­， ,)
¯3$,¼µÊ， •ã;1š›–—p¡0:Os。
ýþ， ¯3!âÂxy:¸O¹º·““noa
ａ．ｓｃｈｅｍａｔｉｃｓｉｄｅｖｉｅｗ ｂ．ｃｏｍｐｌｅｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
;1š›:;1À]Os。
ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｃｈｉｐ
< ８ ¯°±«¬­VW„ª¯123 ［２６］ ë=þhiqr， ƒ„=Óîå;1š›ŽV
［２６］ WTUhi˜™， ê—!Áóɓ! ［２９］ ¥ ２００８c
Ｆｉｇ．８ ＳｃｈｏｔｔｋｙｄｉｏｄｅｓｆｏｒｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆＰａｂｒｉｄｇｅｉｇｎｉｔｅｒ
n]aLu±å5 ＣＭＯＳ 2‹:¬­®¯š›89，
° ± y 2 2 ‹ : j Ó，２００８c，ＭａｒｔｉｎｅｚＴｏｖａｒ çµÊË １１\Ì。ãTU(Z ＣＭＯＳ2‹， G¬
［２７］
Ï TUaÇþLu±å©ª«¬­:;1š›， ç ­®¯、ＣＭＯＳ ðî、 ¯°±«¬­ÿC ＭＯＳ0gŽ
µÊË ９\Ì。ã;1š›:µÊë]€š›ˆ« 1Lš›， ,-Ò1^1²Œ89， ÿà‡±œ
˜“， ×A675 Ｐ„5， ò¸L8Dy2$aL :MÂS²ŒÜO； g¥ãTU:¯°±«¬­5
Ä_—ÉÌ: ¬µÊ。­ÉÌZåÇÈ×> ž=VW7X， B¡0:VW—v=:YõD， ¥à.
/， ®ÌÓ¯5¶°5%:®$¯3， 0¬äå!ô •Z½ÃÃ¶ºÄ。ýþ， ëLNOPš›r

ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＥＮＥＲＧＥＴＩＣＭＡＴＥＲＩＡＬＳ !"#$ ２０１７% & ２５' & １１( （９５４－９６３）