Page 29 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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基 于 二 极 管 电 爆 炸 的 单 触 发 开 关 导 通 机 理                                                               467

                                                                      n         n
                                                                    Σ j = 1 T j  Σ j = 1 λ j  I j
                                                                 ˉ
            3  电气性能测试                                           T =   n   ,ξ =   n  , λ =  I j + 1
                                                                                      j
                                                                式中,L 为放电回路等效电感,H;R 为放电回路等效电
                采 用 高 压 差 分 探 头(Tektronix THDP 0200)和
                                                                阻,Ω;T 为平均周期,s;C 为主电容 C 的容值,F;ξ 为电
                                                                       ˉ
            Rogowski线圈(CWT Mini‐HF 60),分别测量电压和电                                                  2
                                                                流衰减平均系数;I 和 I 分别是正向振荡电流峰值,A。
            流信号,定义 U 为二极管两端的压降,U 为电容 C 两                                         j  j+1
                                                         2
                         1
                                                2
            端的压降;I 和 I 分别是触发回路和主回路中的电流。
                      1
                         2
            3.1  无负载时单触发开关的放电特性
                当主回路中只包含电容 C 和单触发开关时,即为
                                       2
            无 负 载 状 态 。 当 触 发 电 容 C(2.2 mF)和 主 电 容 C       2
                                       1
           (0.22 μF)分别加压 90 V、1500 V 时,基于 Schottky 结
            二极管的单触发开关(PC 厚度 25 μm)的放电曲线如
            图 4 所示。当 IGBT 导通后,在电容 C 两端电压的作用
                                             1
            下 Schottky 势垒被打破,并进一步引发电子雪崩;随着
            能量不断注入,Schottky 结发生汽化、等离子体化,该                       图 4  基于 Schottky 结二极管的单触发开关经典放电曲线
            过程历时 981 ns;随后电容 C 两端的电压从 1500 V                    Fig. 4  Typical discharge curves of the single shot switch
                                       2
                                                                based on Schottky diode
            开始下降,经过 14 ns,绝缘层 PC 被击穿;主回路中脉
            冲大电流 I 开始上升,在 275 ns 内达到了峰值。                            根据公式(1)和(2),得到放电回路的等效电感为
                     2
                根据美军标 MIL‐DTL‐23659D 的要求,短路放电                   100 nH,等效电阻为 200 mΩ。表 1 为文献[11]及本
            电流曲线应至少包含 5 个等间隔减幅的振荡波形,由                           研究的实验结果。由表 1 可以看出,基于 Schottky 结
            此可以计算出放电回路的等效电感、电阻                  [16-17] :       二极管的单触发开关在同等发火能量下,达到的峰值
                 T ˉ 2                                          电流比文献[11]中的峰值电流低,这是由于放电回路
            L =                                         (1)
                  2
                4π C                                            电 感 较 大 ,致 使 储 存 在 电 容 中 的 能 量 部 分 转 化 为 磁
                2L                                              能。电感较大,一方面是因为实验用电容 C 为薄膜电
            R =   lnξ                                   (2)                                            2
                T ˉ                                             容 ,其 脚 线 较 细 长 ;另 一 方 面 ,在 测 试 时 为 保 证
            式中:                                                 Rogowski 线圈能穿过回路,放电回路被加长了一段。

            表 1  实验与文献[11]中的单触发开关性能对比
            Table 1  Comparison of the electrical performance between results from the reference and our experiment
                                              capacitor  voltage    current   risetime   resistance  inductance
                                              / μF       / V        peak / A  / ns       / mΩ       / nH
            ref.[11]                          0.17       800        1236      100        400        16.6
            single shot switch based on Schottky diode  0.22  1500  2279      275        200        100


                当触发电容 C(0.91 μF)和主电容 C(0.22 μF)分
                                                2
                            1
            别加压 700、1200 V 时,得到基于 p‐n 结二极管的单触
            发开关(PC 厚度 25 μm)的放电曲线如图 5 所示。对
            比图 4、图 5 可以看出,基于 Schottky 结二极管和基于
            p‐n 结二极管的两种单触发开关的导通具有相似性。
            当 IGBT 开关导通以后,历时 834 ns,p‐n 结发生电爆
            炸;随后主电压 U 迅速下降,历时 14 ns,绝缘层 PC 被
                           2
            击 穿 ;脉 冲 大 电 流 I 开 始 上 升 ,在 159 ns 内 达 到 了
                              2
                                                                图 5  基于 p‐n 结二极管的单触发开关经典放电曲线
            2068 A 的峰值电流。                                       Fig. 5  Typical discharge curves of single shot switch based
                触发电容所储存的能量 E 可以通过容值 C 和充电                       on p‐n diode
                                      t
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            CHINESE JOURNAL OF ENERGETIC MATERIALS              含能材料                2019 年  第 27 卷  第 6 期 (465-472)
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