Page 73 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019

174 杨智，朱朋，徐聪，张秋，覃新，沈瑞琪

性能试验的对比研究，结果表明：集成平面电爆炸高压
5 结束语
开关的 McEFI 的放电参数与使用立体火花隙高压开关
的基本一致，即该平面高压开关可以代替火花隙开关
总结了国内外 McEFI 及其平面高压开关的研究进
完成起爆及点火要求，且该开关对 McEFIs 的小型化、
展：基于 MEMS 工艺，国内外对于 McEFI 及其平面高压
集成化及低成本化有优势。但从封装结构看，开关和
开关的研究正朝工程化方向迈进；基于 LTCC 工艺制
McEFI 的集成度还不高。
备 McEFI 及其平面高压开关正处于技术优化阶段。
2017 年，徐聪等 ［24］ ，采用 MEMS 技术将肖特基势 随着武器系统对 McEFIs 小型化、低能量化的需求
垒二极管单次触发高压开关与 McEFI 集成，首次实现 日 益 迫 切 ，在 保 证 系 统 作 用 可 靠 性 的 前 提 下 ，提 高
了平面高压开关集成 McEFI 的制备，如图 11 所示。 McEFIs 集成度、降低 McEFIs 发火能量将成为新的研究
趋势。基于研究现状，建议未来对于 McEFIs 的研究重
点包括以下几个方面：
（1）采用 LTCC 工艺，一体化烧结制备具有独石结
构的平面高压开关和 McEFI。
（2）研发新的高压开关，如 IGBT 和 MCT 半导体高
压开关，为 McEFIs 提供更多可供选择的开关。
（3）采用 LTCC 工艺，制备小体积、高性能的 LTCC
平面升压器，取代目前体积较大的绕组升压器。
（4）CDU 进一步集成升压器，并采用现场可编程
门阵列（Field⁃Programmable Gate Array，FPGA）模块
控制发火回路，制备基于 McEFIs 的电子安全与解除保
险装置（Electronic Safing & Arming Device，ESAD）。

参考文献：
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Chengdu Hongming & UESTC New Materials CO.，LTD，2018.
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a. before detonation b. after detonation HAN Ke⁃hua，REN Xi，ZHOU Mi，et al. Study on the charac⁃
图 12 1.4 kV/0.22 μF 下起爆前后照片 ［24］ teristics parameters optimization experiment with measurement
Fig.12 Photos before and after detonation at 1.4 kV/0.22 μF ［24］ method for high voltage pulsed power capacitor［J］. Explosive

Chinese Journal of Energetic Materials，Vol.27, No.2, 2019（167-176） 含能材料 www.energetic-materials.org.cn