Page 69 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
P. 69

170                                                                         杨智,朱朋,徐聪,张秋,覃新,沈瑞琪

            度较采用 MEMS 工艺制备的 McEFI 高,但是目前基于                       片速度均保持一致;而 Ag McEFI 的最小起爆电压为
            LTCC 技术制备 McEFI 的成本较高,并且在相同测试条                       2.8 kV,与其最佳发火电压以及飞片速度均有差别,分
            件下,所得 McEFI 用于点火或者起爆时的飞片速度较                          析认为是 Ag 桥箔电爆程度过于剧烈,陶瓷飞片难以保
            低 ,从 而 所 需 发 火 电 压 较 高 。 总 之 ,尽 管 目 前 采 用            持完整,导致最小起爆电压偏高。起爆试验测量铝鉴
            LTCC 工艺制备 McEFI 有一些缺点,却不失为一种可采                       定块炸坑尺寸约为 5 mm(Φ)×0.76 mm(H),以此判
            用的制备工艺,后期通过不断改进设计参数,最终制备                             断 HNS 炸药柱均为完全爆轰。
            出性能优良的 McEFI。
                                                                 3  平面高压开关
                2018 年,朱朋    [18] 、陈楷 [16] 等首次采用 LTCC 工艺
            集成制备 McEFI,样品示意图如图 5 所示。
                                                                 3.1  平面高压开关性能分析
                                                                     脉冲功率源中的高压开关是 EFIs 的一个关键器
                                                                 件,它决定着起爆回路的输出特性,直接影响 EFIs 的整
                                                                 体性能。目前国内外主要使用立体式火花隙三电极结
                                                                 构的气体开关和真空开关,以及 IGBT(绝缘栅双极型
                                                                 晶 体 管 ,Insulated Gate Bipolar Transistor)和 N⁃MCT

                                                                (N⁃MOSFET 控制导通的金属氧化物半导体控制晶闸
                                                                 管(MOS Controlled Thyristor))半导体开关      [19-20] 。气
                                                                 体开关和真空开关同属火花隙三电极结构开关,有其
                                                                 固有优点,如工作电压高、工作温度高及漏电电流小
             a. schematic representation  b. specific structure and size  (在工作电压下小于 1 nA)等,但缺点是价格高、开关
                of laminated process
            图 5  基于 LTCC 工艺制备微芯片爆炸箔起爆器          [16]             为立体式结构,与 McEFI 集成度低;IGBT 和 MCT 半导
            Fig.5  Fabrication of McEFI based on LTCC technology [16]  体 开 关 虽 然 成 本 较 低 ,但 缺 点 是 工 作 电 压 上 限 低
                                                                (MCT 开关的工作电压小于 1400 V)、工作温度上限
                朱朋  [18] 、陈楷 [16] 等开展了桥箔电爆特性、陶瓷飞                 低(MCT 开关的工作温度小于 100 ℃)、漏电电流大且
            片速度特征及起爆 HNS 的试验研究。获得了 Au、Ag                         响应速度慢。近年来,随着微加工技术的发展,国内外
            桥箔在不同发火电压下的电爆性能。其中,取加速膛                              学者研制出了平面高压开关以提高 EFIs 的集成度及降
            尺 寸 为 0.56 mm(Ф)× 0.30 mm(H),桥 箔 材 料 选 用             低开关生产成本。这些开关主要包括两大类:单次触
            Au,尺 寸 为 L×W ×H=0.4 mm ×0.4 mm ×5 μm,采 用             发高压开关(平面电爆炸高压开关与二极管单次触发
            PDV 研究发火电压(1.8~2.8 kV)对陶瓷飞片速度的影                      高压开关)以及平面火花隙三电极高压开关,表 1 列出
            响 规 律 ,结 果 表 明 :在 上 述 条 件 下 ,当 发 火 电 压 小 于           了几种平面高压开关在 CDU 中的工作性能。需要说
            2.5 kV 时,飞片的速度和加速度均随着发火电压的增                          明:(1)文献[16]将从峰值电流的 10% 至 90% 所需时
            大而增大,在发火电压为 2.5 kV 左右时,陶瓷飞片的速                        间定义为上升时间,其它文献则以开关主回路电流从
                                                          -1
            度与加速度均达到最大,其中最大速度为 2422 m·s ;                        零至峰值所需时间作为上升时间;(2)平面火花隙三
            将陶瓷飞片的速度⁃时间曲线进行积分可得到位移⁃时                             电极高压开关的性能受主电极间隙、主电极结构以及
            间曲线,在不同发火电压条件下,陶瓷飞片加速到其最                             测试气体氛围的影响,因此测试结果依赖于特定的试
            大速度所需的位移均大于加速膛的高度 H=0.3 mm,                          验条件。
            即陶瓷飞片出加速膛口时,均未达到其最大速度,故需                                 与目前常用的高压开关(电气性能参数可参阅文
            要适当地增加加速膛的高度。                                        献[19]和文献[20])相比,平面高压开关能满足 EFIs
                                                          -3
                另外,采用 McEFI 起爆装药密度为 1.60 g·cm 、                  的使用要求,且成本低、易与 McEFI 集成,提高了 McE⁃
            尺寸为 4 mm(Φ)×4 mm(H)的 HNS 炸药。从起爆试                     FIs 的集成度。下面分别对这两大类型的平面高压开
            验结果可知:Au McEFI 的最小起爆电压(起爆 HNS 时                      关总结分析。
            最 小 的 主 回 路 充 电 电 压 ,也 称 最 小 发 火 电 压)为               3.2  单次触发高压开关
            2.5 kV,这与 Au 桥箔电爆确定的最佳发火电压以及飞                           (1)平面电爆炸高压开关平面电爆炸高压开关,


            Chinese Journal of Energetic Materials,Vol.27, No.2, 2019(167-176)  含能材料       www.energetic-materials.org.cn
   64   65   66   67   68   69   70   71   72   73   74