Page 67 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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                                                                                [8]
                                                                     国内,施志贵 、郭菲 等也利用硅 MEMS 工艺制
                                                                                       [9]
            2   微芯片爆炸箔起爆器                                        作了 McEFI(图 2),该制备方法在刻蚀单晶硅基板制备
                                                                 加速膛时预留了单晶硅作为飞片层,因此飞片层的材
            2.1  基于 MEMS 工艺的 McEFI
                                                                                            [6]
                                                                 料与基板的材料相同。而专利 中所说的飞片层材料
                在火工品领域,MEMS 技术一般是指利用微机电
                                                                 为 N 型单晶硅,与作基板的 P 型单晶硅不同。施志贵
            系统的先进制造和集成思想,采用微机电系统制造技
                                                                 等在文章中对制备工艺的描述较为详细,并且预测在
            术,如沉积镀膜和光刻的细微加工技术、微烟火技术和
                                                                 一定起爆条件下可以起爆六硝基芪⁃四型(HNS⁃Ⅳ)。
            微型装药技术等,将机械系统、微电子系统和化学能源
                                                                 郭菲等针对具体结构,研究了飞片厚度(40~55 μm)
            系 统 集 成 为 具 有 功 能 化 火 工 模 块 的 技 术 。 采 用 硅
                                                                 对起爆 HNS⁃Ⅳ药柱的影响规律。
            MEMS 工艺与非硅 MEMS 工艺集成批量化制备 McEFI
            的国内外研究进展总结如下。
                最先出现以硅片作为基板,通过镀膜、光刻、键合
            及刻蚀等 MEMS 工艺制备 McEFI。1989 年,Nerheim
            E 和 Hoff D 在其专利中提出采用集成电路(Integrat⁃
                      [6]
            ed Circuit,IC)技术制备 McEFI:1)在 P 型单晶硅作的
            基板上外延生长 25 μm 厚的 N 型硅膜作为飞片层,在
            外延硅膜上氧化出 0.3~0.7 μm 厚二氧化硅作为绝缘                        图 2  硅 MEMS 工艺微芯片爆炸箔起爆器实物图          [9]
                                                                 Fig.2 Physical map of McEFI with silicon MEMS technology [9]
            层;2)在绝缘层上采用光刻掩膜技术,沉积图形化有
            规则的两个约 2 μm 厚的金属焊盘;3)制备两个金属                              2010 年 ,施 志 贵 等   [10] 针 对 硅 MEMS 工 艺 制 备
            焊盘间的过渡区和桥区,材料可采用发火能量较低的                              McEFI 做了改进,主要有以下三点:(1)在玻璃基板而
            重掺杂多晶硅(也可采用与焊盘一样的金属材料,从而                             不是硅基板上制备金属爆炸桥箔;(2)采用金属桥箔
            一体化制备金属爆炸桥箔,简化制备步骤);4)采用深                            代替多晶硅桥箔;(3)采用硅⁃氧化硅⁃硅结构(SOI)材
            反应离子刻蚀工艺,在桥箔桥区下方反向刻蚀硅基板                              料代替单晶硅。改进缩短了 McEFI 的发火作用时间,
            至外延硅膜飞片层制备加速膛;5)将硅片划片形成单                             由 原 来 的 数 十 微 秒 缩 短 至 2 μs,在 刻 蚀 加 速 膛 过 程
            元 ,使 用 环 氧 树 脂 将 单 元 与 Pyrex 玻 璃 背 板(厚 度 为           中,绝缘埋层能保证预留的飞片层厚度,飞片层误差可
            0.635~2.54 mm)键 合 即 得 McEFI。 具 体 结 构 如 图 1           控制在±3 μm 内,同时起爆试验结果表明该 McEFI 在
            所示。                                                  3.14 kA 电流下能够成功起爆 HNS⁃Ⅳ。
                                                                     这些研究表明采用硅 MEMS 工艺集成批量化制
                                                                 备 McEFI 是可行的,然而该工艺采用到的阳极键合工
                                                                 艺对组件(硅基板和玻璃基板)的表面平整性和对位精
                                                                 度都有非常高的要求。基于此,一方面需要解决如何
                                                                 对准的问题以沿用硅 MEMS 工艺制备 McEFI,另一方
                                                                 面需要开发新的制备工艺。
                                                                     2009 年,Desai A [11] 在专利中首次提出采用非硅

                                                                 MEMS 技术自底向顶原位制备 McEFI 的工艺。该工艺
            图 1  硅 MEMS 工艺微芯片爆炸箔起爆器结构示意图             [6]         最大的改进是加速膛不再需要反向刻蚀硅基板而得,
            Fig. 1  Schematic diagram of McEFI structure with silicon  也不需要精密的键合工艺,取而代之的是采用沉积镀
            MEMS technology [6]
                                                                 膜、光刻及显影等技术将爆炸桥箔、飞片层、加速膛在
                                                    [7]
                1993 年,Hebderson J H 和 Baginski T A 提出采          基板上依次沉积,逐步实现桥箔、飞片层及加速膛的图
            用键合两块硅基板的方法制备 McEFI:在其中一块硅                           形化。此种工艺简单、加工精度高,极大地提高了制备
            基 板 上 依 次 沉 积 金 属 爆 炸 桥 箔 和 聚 酰 亚 胺(Poly⁃            效率。2016 年,房旷等       [12] 在 Al O 陶瓷基板上制备了
                                                                                               3
                                                                                            2
            imide,PI)飞片层,在另一块硅基板上刻蚀出加速膛                          一 种 基 于 聚 氯 代 对 二 甲 苯(Parylene C,PC)飞 片 与
            及焊盘通孔,通过将两硅基板键合即制得 McEFI。                            SU⁃8 光刻胶加速膛的 McEFI,制备工艺如图 3 所示。


            Chinese Journal of Energetic Materials,Vol.27, No.2, 2019(167-176)  含能材料       www.energetic-materials.org.cn
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