Page 175 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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             ｔｅｃｈｎｉｃｚｎｙ，２０１２，８８（１１Ａ）：１８８－１９０．                    ＺＨＯＵ Ｂｉｎ，ＷＡＮＧＬｉｎｓｈｉ，ＱＩＮＺｈｉｃｈｕｎ．ＡＭｅｔｈｏｄｏｆＡｎｔｉｅ
          ［７］ＣＨＥＮ Ｆｅｉ，ＺＨＯＵ Ｂｉｎ，ＱＩＮ Ｚｈｉｃｈｕｎ，ｅｔａｌ．ＥＭＣｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆ  ｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃＤｉｓｃｈａｒｇｅｆｏｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＢｒｉｄｇｅＩｎｉｔｉａｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｉｎｉ
             ＳＣＢｅｘｐｌｏｓｉｖｅｄｅｖｉｃｅｓｂｙｕｓｉｎｇＳＭＤＢａｓｅｄＮＴＣｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．  ｔｉａｔｏｒｓ＆Ｐｙｒｏｔｅｃｈｎｉｃｓ，２０１０（２）：５－７．
             ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ ＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＣｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，２０１２，５４  ［１１］Mkà， N¥¾， OP． „‡” ＺｎＯ !"#$§=#$ÿ!@
             （６）：１２１６－１２２１．                                      A［Ｊ］．#{‘LFÿ!，２００５，２４（１１）：８－９．
          ［８］./，ˆ‰，EFG．2345Ì0"#$:;&'()*+,                        ＺＨＯＮＧ Ｍｉｎｇｆｅｎｇ，ＳＵＤａｇｅｎ，ＺＨＵＡＮＧＹａｎ．ＲｅｓｅａｃｈｏｎＩｎ
             ÓÔ=>0@A［Ｊ］．HIÏ+¡JJc，２０１２，３６（１）：２－５．                 ｎｅｒＥｌｅｃｔｒｏｄｅｏｆＭｕｌｔｉｌａｙｅｒＣｈｉｐＶａｒｉｓｔｏｒ［Ｊ］．ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏ
             ＣＨＥＮ Ｆｅｉ， ＺＨＯＵ Ｂｉｎ， ＱＩＮ ＺｈｉＣｈｕｎ． Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆＮＴＣ  ｎｅｎｔｓ＆Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２００５，２４（１１）：８－９．
             Ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒｓｉｎ Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ［１２］./．ＳＣＢ*+,ü#、 ÓÔÂÃQÏܳXR'(0@A［Ｄ］．
             ＢｒｉｄｇｅＩｎｉｔｉａｔｏｒｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ  HI：HIÏ+¡J，２０１２．
             Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１２，３６（１）：２－５．                          ＣＨＥＮ Ｆｅｉ．Ｒｅｓｅａｃｈｏｎｔｈｅｄａｍａｇｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ ａｎｄｒｅｉｎｆｏｒｃｅ
          ［９］ＺＨＯＵ Ｂｉｎ，ＲＥＮ Ｇａｎｇ，ＬＩＹｏｎｇ，ｅｔａｌ．ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＳＭＤ Ｃａ     ｍｅｎｔｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃａｎｄＲＦｏｎＳＣＢｅｘｐｌｏｓｉｖｅｄｅｖｉｃｅｓ
             ｐａｃｉｔｏｒｆｏｒＲＦＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆＳＣＢＩｎｉｔｉａｔｏｒｓ［Ｊ］．ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉ  ［Ｄ］．Ｎａｎｊｉｎｇ：ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
             ａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈ，２０１３，７８５－７８６：１５７６－１５８１．                 ２０１２．
         ［１０］ˆ‰，tKL，EFG．’y&'()*+,ìü#'(［Ｊ］．*                  ［１３］°SQTUYzzVu:W1．ＧＪＢ－Ｚ３７７Ａ－１９９４：²4Of:
             +,，２０１０（２）：５－７．                                     ÌÏì×ÅÙ ［Ｓ］．XI：z=YJ'(+Z[ƒ\，１９９４．


         ＥｌｅｃｔｒｏｅｘｐｌｏｓｉｖｅＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｏｆＳＣＢＩｇｎｉｔｅｒｗｉｔｈＶａｒｉｓｔｏｒ

                                      １
                                                １
                              ２
                   １
         ＤＵＰｅｉｋａｎｇ ，ＴＡＮ Ｍｉｎｇ ，ＬＩＹｏｎｇ ，ＺＨＯＵＢｉｎ，ＷＡＮＧ Ｊｕｎ     １
         （１．ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９４，Ｃｈｉｎａ；２．ＳｉｃｈｕａｎＨＵＡＣＨＵＡＮＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＣｏｍｐａｎｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１０１０６，Ｃｈｉｎａ）
         Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｉｎｃｅｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｉｓｇｅｔｔｉｎｇｍｏｒｅｃｏｍｐｌｅｘ，ｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｉｇｎｉｔｅｒｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｒｅ
         ｃｅｉｖｅｓｅｘｔｅｎｓｉｖｅａｔｔｅｎｔｉｏｎ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｓｔｕｄｙｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｅｘｐｌｏｓｉｖｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｖａｒｉａｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｖａｒｉａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｆｉｒｉｎｇｔｉｍｅａｎｄｔｈｅ
         ｆｉｒｉｎｇｒｅｑｕｉｒｅｄｅｎｅｒｇｙｗｅｒｅｍｅａｓｅｕｒｅｄｕｎｄｅｒｔｈｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｔｈａｔｔｈｅＳＣＢｉｇｎｉｔｅｒｓｗｅｒｅｉｎｐａｒａｌｌｅｌｗｉｔｈｖａｒｉｓｔｏｒｓ，ａｎｄｃａｐａｃｉｔｏｒｄｉｓ
         ｃｈａｒｇｅａｎｄｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｗｅｒｅａｄｏｐｔｅｄｗｈｅｎｔｈｅｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ（４７μ Ｆ）ｗａｓｃｈａｒｇｅｄｔｏ２２Ｖ．Ｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗ ｔｈａｔ
         ｔｈｅｒｅｉｓｎｏｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｉｎｔｈｅａｂｏｖｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｆｔｅｒｔｈｅｔｙｐｉｃａｌＳＣＢｉｇｎｉｔｅｒｉｎｐａｒａｌｌｅｌｗｉｔｈｖａｒｉｓｔｏｒ．Ｂｕｔｔｈｅｌｏｗｅｎｅｒｇｙ
         ＳＣＢｉｇｎｉｔｅｒｓａｒｅａｆｆｅｃｔｅｄｂｙｖａｒｉｓｔｏｒｗｉｔｈｌｏｗｅｒｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｉｎｔｈｅｆｉｒｉｎｇｒｅｑｕｉｒｅｄｅｎｅｒｇｙ．Ｔｈｅｆｉｒｉｎｇｒｅｑｕｉｒｅｄｅｎｅｒｇｙｉｎｃｒｅａｓｅ
         ｂｙ１４％，ｗｈｉｌｅｔｈｅｆｉｒｉｎｇｔｉｍｅｄｏｅｓｎｏｔｃｈａｎｇｅ．Ｏｎｔｈｅｃｏｎｔｒａｒｙ，ｉｎｔｈｅｃｏｎｓｔａｎｔｃｕｒｒｅｎｔｄｕｒａｔｉｏｎｏｆ１００ｍｓｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ，ｖａｒｉｓｔｏｒ
         ｈａｓｎｏｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓｏｎＳＣＢｆｉｒｉｎｇｔｉｍｅａｎｄｆｉｒｉｎｇｒｅｑｕｉｒｅｄｅｎｅｒｇｙ，ｉｎｄｉｃａｔｉｎｇｔｈａｔｖａｒｉｓｔｏｒｄｏｅｓｎｏｔａｆｆｅｃｔｔｈｅＳＣＢｉｇｎｉｔｅｒｓ′
         ｅｌｅｃｔｒｏｅｘｐｌｏｓｉｖｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｄｒａｍａｔｉｃａｌｌｙｗｈｅｎｅｍｐｌｏｙｅｄｆｏｒｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳＣＢｉｇｎｉｔｅｒｓ．
         Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｉｎｉｔｉａｔｏｒ；ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅ（ＳＣＢ）；ｖａｒｉｓｔｏｒ；ｅｌｅｃｔｒｏｅｘｐｌｏｓｉｖｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ
         ＣＬＣｎｕｍｂｅｒ：ＴＪ４５                  Ｄｏｃｕｍｅｎｔｃｏｄｅ：Ａ                ＤＯＩ：１０．１１９４３／ｊ．ｉｓｓｎ．１００６９９４１．２０１５．０８．０１４







































         ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｎｅｒｇｅｔｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．８，２０１５（７８１－７８６）  !"#$           ｗｗｗ．ｅｎｅｒｇｅｔｉｃｍａｔｅｒｉａｌｓ．ｏｒｇ．ｃｎ
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