Page 174 - 《含能材料》火工品技术合集 2015~2019
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         ｄ＝０．０１， f ｙ ＝ｌｎｘ ＝０．６９１， :VOf， HÈOÐ9                Ｔａｂｌｅ５ ＦｉｒｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔｏｆｓａｍｐｌｅＬａｎｄＬ０８
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                                                              Ｌ         １．０４３    ０．０３２９    ０．９４４    １．１４２
         ｄ＝０．０１ f ｙ ＝ｌｎｘ ＝０．７０３(T:VOf， efÌò
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          ｓａｍｐｌｅ    μ ／Ａ     σ         Ｉ ０．１％ ／Ａ  Ｉ ９９．９％ ／Ａ
                                                                 （１） C#DE#[*KLM，ＳＣＢ*+,QR ＺｎＯ
          Ｔ        １．９９４     ０．０１３６９   １．９５３    ２．０３５
          Ｔ０８      ２．００４     ０．０１３１１   １．９６５    ２．０４３        !"#$% ＴＳＣＢ*+,0#-.//3no12。
          Ｎｏｔｅ：μｉｓｔｈｅ５０％ ｆｉｒｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔ．σ ｉｓｔｈｅｓｔａｎｄａｒｄｄｅｖｉａｔｉｏｎ．Ｉ ０．１％ ｉｓｔｈｅ  （２） C # D E # [ * K L M， Q R
              ０．１％ ｆｉｒｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔ．Ｉ ９９．９％ ｉｓｔｈｅ９９．９％ ｆｉｒｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔ．
                                                             ＳＦＩ０６０３ＭＬ１２０ＣＬＦ Vç!"#$0©, Ｌ１２， !"#
                                                             $á12 ＬＳＣＢ*+,0-[]^Y-[/\；wQ
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                                                             R ＳＦＩ０６０３ＭＬ０８０ＣＬＦ!"#$0 © , Ｌ０８， ³ - [
         ９９．９％0[*#H? ２．０３５Ａ， ©, Ｔ０８0 ０．１％[
                                                             st/\: ｔ ifÙifjk3no.ab， -[]
         *#H? １．９６５Ａ、９９．９％0[*#H? ２．０４３Ａ； Ý                   ^mno.ab。
         æ˜^õ（１±５）％， 9F©, Ｔ0Ýæ ０．１％[*#                           （３） CGHIJÙM， !"#$?¤D£;á'
         H;<? １．８３８～２．０３２Ａ，９９．９％[*#H;<?                      ÇOP， ÑD°/3#HÇÈ， % ＳＣＢ*+,0#-.
         １．９３３～２．１３６Ａ， %ÝÑÒ9F#， ©, Ｔ０８0０．１％
                                                             /m12， : ｔ ifÙifjkQR!"#$% ＴＳＣＢ
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                                                                 ［Ｊ］．D/ÿ!，２０１２，２０（５）：６１０－６１３．
         *+ , 0 # - . / / 3 1 2， ‰ Q R ! " # $ % ;
                                                                 ＷＡＮＧ Ｋｅｘｕａｎ，ＢＡＩＹｉｎｇｗｅｉ，ＲＥＮ Ｗｅｉ，ｅｔａｌ．Ｒｅｓｐｏｎｓｅｒｕｌｅ
         ＴＳＣＢ*+,0GH[*²4/312。                                     ｏｆｈｏｔｗｉｒｅｅｅｄｉｎｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ［Ｊ］．
                                                                 ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｎｅｒｇｅｔｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ（ＨａｎｎｅｎｇＣａｉｌｉａｏ），２０１２，
         ３．２．２ kT%&'(m4 ＬＳＣＢ./0
                                                                 ２０（５）：６１０－６１３．
             HÈ O Ð 9 × © , Ｌ、Ｌ０８0 M N Ú I \ ｘ ＝              ［２］ＢａｇｉｎｓｋｉＴＡ，ＢａｇｉｎｓｋｉＭ Ｅ．ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆａＮｏｖｅｌＰａｓｓｉｖｅ
                                                      ０
                                                                 ＲＦＦｉｌｔｅｒｆｏｒＦｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓｏｆ４２２５ＭＨｚ［Ｊ］．ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ
         １．１００Ａ ÁÔm:? ｄ＝０．０３５f ｙ ＝ｌｎｘ ＝０．０９５３
                                         ０     ０                 ＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＣｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，１９９０，３２（２）：１６３－１６７．
         (T:VOf， efÌò¾ò《ＧＪＢＺ３７７Ａ－１９９４²                       ［３］ＨｅｎｄｅｒｓｏｎＪＨ，ＢａｇｉｎｓｋｉＴＡ．ＡｎＲＦｉｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｈｙｂｒｉｄｅｌｅｃｔｒｏｅｘ
                                                                 ｐｌｏｓｉｖｅｄｅｖｉｃｅｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｎｇａｎｉｎｔｅｇｒａｌｆｉｌｔｅｒ［Ｊ］．ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃ
         4O f : Ì Ï ì × Å Ù》 ° 0× Û F © , Ｌ、Ｌ０８0
                                                                 ｔｉｏｎｓｏｎＩｎｄｕｓｔｒｙＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９６，３２（２）：４６５－４７０．
         ０．１％[*#HY ９９．９％[*#H， gh~j ５。                         ［４］ＮｏｖｏｔｎｅｙＤ Ｂ，ＷｅｌｃｈＢＭ，ＥｖｉｃｋＤ Ｗ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅ
                                                                 ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｆｏｒｅｎｈａｎｃｅｄＥＳＤ ａｎｄＲＦｉｍｍｕｎｉｔｙ［Ｒ］．ＡＩＡＡ９９
            j ５9é， Ýæ˜^õ（１±５）％， ©, Ｌ 0Ýæ
                                                                 ２４１７：１９９９．
         ０．１％[*#H;<? ０．８９７～０．９９１Ａ，９９．９％[*                     ［５］ＫｉｎｇＴＬ，ＴａｒｂｅｌｌＷ Ｗ．Ｐｉｎｔｏｐｉｎｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｄｉｓｃｈａｒｇｅｐｒｏｔｅｃ
                                                                 ｔｉｏｎｆｏｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅｓ［Ｒ］．ＳＡＮＤ２００２２２１３：２００２．
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                                                              ［６］ＣＨＥＮ Ｆｅｉ，ＺＨＯＵ Ｂｉｎ，ＱＩＮ Ｚｈｉｃｈｕｎ，ｅｔａｌ．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｄａｍ
         *#H、９９．９％ 0[*#HlCÝæ˜^=， îQR                             ａｇｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆＳＣＢｉｎｉｔｉａｔｏｒｓｕｎｄｅｒＲＦ［Ｊ］．ＰｒｚｅｇｌａｄＥｌｅｋｔｒｏ

         ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＥＮＥＲＧＥＴＩＣＭＡＴＥＲＩＡＬＳ                  !"#$               ２０１５% & ２３' & ８( （７８１－７８６）
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