摘要:5-硝基四唑亚铜（DBX-1）是一种不含有毒重金属的绿色起爆药，从发现至今一直备受关注，合适的发火感度、优异的起爆能力和输出能力、良好的相容性和耐温性能使DBX-1被认为是最有可能代替叠氮化铅（LA）的绿色起爆药。5-硝基四唑钠（5-NaNT）是制备DBX-1的原材料，本研究针对5-NaNT在合成过程中存在的问题，对DBX-1的研究进展进行了综述，详细介绍了DBX-1从实验室合成到百克量制备的发展历程和5-NaNT合成路径演变过程，指出DBX-1后续研究应以提高合成过程安全性、掌握工艺参数对晶体形貌的影响规律、调控发火感度以及完善性能评估体系等为重点，为工程化应用奠定技术基础。

摘要:作为电火工品的核心部件，换能元直接影响着电火工品的安全性和可靠性。电火工品结构微型化、换能信息化、序列集成化的发展趋势对于换能元提出了更高的技术要求。如何实现在低能量刺激下可靠发火，同时提升换能元的点火输出能力，即如何实现电火工品换能元的效能提升成为目前火工品换能器件研究的重要课题之一。为此，本文从换能元基底和电阻材料的优选、发火结构优化设计、自含能一体化增效以及含能薄膜复合增效等角度，综述了近年来电火工品换能元低能发火与输出增效的最新研究进展。在此基础上，讨论了未来开展换能元增效研究的重点：建立换能元材料参数基因库，借助机器学习算法等手段提高换能元发火结构优化设计的效率，针对宽带隙半导体材料等开展新换能体制的基础研究，探索含能金属有机骨架材料（Metal-Organic Frameworks，MOFs）、含能钙钛矿等新型含能薄膜材料在换能元上的集成制备。

摘要:为研究温度冲击、温度循环等温度交变环境对激光火工品发火时间的影响规律及其作用机理，采用掺杂炭黑的高氯酸·四氨·双（5-硝基四唑）合钴（BNCP）为始发药剂及光纤窗口结构的激光火工品为实验样机，对经历47 h和94 h温度交变实验后的掺杂BNCP始发药剂性能、激光火工品结构变化、药剂和光纤约束情况进行了研究。结果表明，温度交变前激光火工品发火时间具有小于0.2 ms的高瞬发性，经历47 h温度交变后，发火时间会延迟至0.5 ms以上；随着温度交变时间的增长，达到94 h后个别产品发火延迟时间超过1 ms，甚至出现瞎火情况。掺杂BNCP始发药经历47 h的温度交变环境后出现碎晶，堆积密度从0.43 g·cm^-3降低到0.32 g·cm^-3，但碎晶现象不影响药剂的热分解性能及激光火工品的发火性能。温度交变环境下，火工品壳体结构与药剂膨胀系数的差异导致光纤和药剂间出现点火间隙，点火间隙同时影响激光光斑强度与热点的扩散效应，进而影响发火。通过增强药剂和光纤之间的约束可有效减少温度交变情况下点火间隙的产生，提高激光火工品的环境适应能力。

摘要:为了研究温度对半导体桥（SCB）电爆和点火的影响，采用电容放电激励的方式，研究了SCB在环境温度分别为25 ℃和-40 ℃的电爆特性，建立数学模型并探讨了环境温度对SCB电爆的影响；开展了以Al/CuO纳米铝热剂为点火药剂的SCB点火感度实验，在环境温度为25 ℃和-40 ℃测试了Al/CuO纳米铝热剂的点火温度，并采用Neyer D最优化法测试SCB点火感度。结果发现，当充电电压由30 V增加至50 V时，电爆延迟时间差值由0.47 μs降低至0.25 μs，电爆所需能量的差值由0.16 mJ增加至0.65 mJ，表明随着充电电压的增加，环境温度对电爆延迟时间的影响减小，对电爆所需能量的影响增大；并发现不同温度下Al/CuO纳米铝热剂点火温度没有显著差异，为740.7 ℃；-40 ℃时的SCB临界发火电压比25 ℃时高0.6 V。

摘要:为实现点火序列的高安全性及微封装体积，研究设计并制作了一种内置双层电热MEMS安保机构的微点火序列，该序列包含了点火器、安保机构及点火药等核心部件，整体封装尺寸为Φ10 mm×3.3 mm。其中安保机构为具有双稳态功能的双层结构，前端的点火器为覆盖有Al/CuO微装药的NiCr桥箔，桥箔电极采用背部无引线封装的方法来降低序列封装体积，后端的点火药采用硼/硝酸钾（Boron/potassium nitrate）点火药。采用控制Al/CuO装药量的方法对其安保性能进行测试，结果表明该序列在Al/CuO装药尺寸为Φ800 μm×30 μm时安保机构在安全状态下能够阻隔前端点火器火焰能量的传递并保持结构功能完整，在解保状态下能够使后端的点火药被点火器点燃，具备点火隔火能力。

摘要:研究设计了一种平面纵向集成PN结（半导体的空间电荷区）结构二极管的薄膜换能元芯片，并制作了3 Ω和4 Ω 2种桥区电阻， 每种电阻制备1.0 mm×1.0 mm、1.5 mm×1.5 mm、2.0 mm×4.0 mm 3种芯片尺寸，每种尺寸设计8，18，28，34 V 4种击穿电压的集成芯片样品，其中1.0 mm芯片对应4种击穿电压的芯片，1.5 mm、2.0 mm芯片对应34V击穿电压进行静电对比试验。为研究集成防护结构对换能元的爆发性能的影响，对3 Ω的1.0 mm集成芯片进行了发火试验测试。结果表明集成薄膜芯片尺寸越大，抗静电能力增强；芯片桥区电阻越大，越容易受到静电干扰损伤，其静电防护性能达500 pF/500 Ω/25 kV。PN结结构的击穿电压越小，其旁路电流的能力越大，对换能元爆发性能的影响越大，击穿电压越大，对换能元的静电防护作用越小。对于33 μF/16 V作用条件的火工品，选择18 V击穿电压的集成芯片说明集成薄膜芯片应用中需要根据换能元的工作电压选用合适的击穿电压，以保证集成芯片既可以防护静电干扰，不影响产品的正常作用。

摘要:针对常用薄膜换能元的沉积和成型方法耗时长、成本高、材料利用率低等问题，采用喷墨打印制备了银膜换能元，并采用扫描电镜（SEM）和原子力学显微镜（AFM）对换能元形貌及厚度进行了表征，对银膜桥的发火性能进行了研究。结果表明，银膜换能元厚度为2.1 μm，表面平整，在不同输入能量下存在电热、电爆两种情况。银膜桥更容易产生等离子体；蘸有斯蒂芬酸铅（LTNR）的银膜桥在47 μF脉冲放电下50%发火电压为6.65 V，脚-脚间可以耐受25 kV静电放电（放电电容为500 pF，串联5 kΩ电阻），可通过钝感电火工品1A1W5min测试。

摘要: