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诱导期法研究过饱和度对LLM‑105成核的影响  PDF

  • 单军辉 1,2
  • 周小清 2
  • 李洪珍 2
  • 刘天生 1
1. 中北大学环境与安全工程学院,山西 太原 030051; 2. 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川 绵阳 621999

中图分类号: TJ55O64

最近更新:2020-09-10

DOI:10.11943/CJEM2020001

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摘要

为了研究2,6‑二氨基‑3,5‑二硝基吡嗪‑1‑氧化物(LLM‑105)的结晶成核过程,利用CrystlScan多通道结晶仪测量了不同过饱和度比下LLM‑105反溶剂结晶成核诱导期。采用诱导期测量法研究了过饱和度对LLM‑105成核的影响并结合经典成核理论计算了成核的重要参数。结果表明,LLM‑105反溶剂结晶的诱导期随过饱和度的增大而降低。当过饱和度比S<2.53时,主要发生异相成核,界面张力γ值为6.67717×10-23m-2,表面熵因子f值为1.49;当S>2.53时,主要发生均相成核,界面张力γ值9.98942×10-23m-2表面熵因子f值为2.23。表面熵因子值均小于3,表明LLM‑105在乙酸乙酯为反溶剂结晶中的生长方式为连续生长机制。另外,当LLM‑105反溶剂结晶为发生均相成核时,成核速率随着过饱和比的增加而增加,临界晶核半径和临界成核数量均随着过饱和比的增加而减小。

图文摘要

The influence of supersaturation on the nucleation of LLM‑105 was investigated based on the induction period measurement method. The nucleation induction periods of LLM‑105 with different supersaturation ratios were obtained by measuring the turbidity. Based on the results of anti‑solvent crystallization experiments and the classic nucleation theory, the nucleation and growth mechanisms of LLM‑105 were determined.

1 引 言

溶液结晶广泛应用于炸药晶体的制备,不仅在炸药分离和纯化过程中起重要作用,而且在炸药晶体的颗粒大小和形貌控制方面起至关重要的作用。炸药晶体颗粒的大小和形貌不仅影响炸药本身的物化性能和安全性能,而且与浇注、压装等装药工艺的流变性、成型性、安全性以及装药固含量等密切相关,显著影响炸药的起爆、传爆性能,决定了炸药应用的广度和深[

1-3]。因此,控制炸药的结晶过程是获得高质量晶体产品的关键。

成核是结晶过程的第一步,也是关键的一步,影响晶体的形貌、尺寸及其分布、多晶型和晶体产物的纯度[

4-5]。认识成核过程已成为控制晶体产品质量的关键策略之一。然而,由于晶核尺寸小,在实验上难以直接监测和表征成核现象的发生,理解溶液结晶中的成核过程极具挑战性。近年来,尽管光谱技[68]以及分子模拟方[9-10]的发展能够研究溶液中分子的组装状态,但仍然无法直接观察和表征成核过程。此外,许多研究人员还通过基于晶体生长中间阶段的理论求解数学模型,对过程建[11]和非稳态研[12-13]进行了大量工作。但是,需要更多的实验数据来帮助验证和进一步修正理论结果。在经典的成核理论[14],成核过程被简化为可逆的链反应,分子依次吸附和脱离大小不同的簇,超过临界尺寸的簇的频率称为成核速率。准确的成核速率测量结果有助于理解成核过程。尽管很难直接获得成核速率,但是,测量介稳区宽度(MSZW)和诱导期(tind)等方法已成为间接获得成核动力学数据的有效手[15-16]。其中,诱导期是指从结晶过饱和度形成到新相出现之间所经历的时间,又称诱导时间,反映溶液稳定性的一个十分重要的参数,结合经典成核理论,利用实验测得的诱导期数据,可计算出成核过程中的界面张力、成核速率等一系列成核参数。

2,6‑二氨基‑3,5‑二硝基吡嗪‑1‑氧化物(LLM‑105)是通过分子设计成功合成的波形层状晶体结构,层内有强的分子内和分子间氢键,层间是π‑π作用,这种独特的分子结构,使得LLM‑105表现出优异的能量和安全性[

17-18],具有广阔的应用前景,引起国际炸药界极大的研究兴趣。人们不仅对其合成方法和工艺进行了大量的研究,而且也采用不同重结晶方法,对其晶体形貌的控制进行研究,然而,由于强的氢键作用,使得LLM‑105在普通溶剂中溶解度小,文献报道的重结晶方法大多为反溶剂结晶以及结晶条件的调[19-25]。在反溶剂结晶过程中,过饱和度是晶体成核的重要推动力,过饱和度过大将导致初级成核的发生,产生大量细晶、晶体粒度分布范围宽,产品质量低等问题。对于LLM‑105的成核动力学研究还无文献报道。因此,研究过饱和度对晶体成核的影响并探讨其成核机理对工业结晶具有重要意义。本研究以二甲基亚砜(DMSO)为溶剂,乙酸乙酯为反溶剂,采用多通道结晶仪测量LLM‑105反溶剂结晶过程的诱导期,并结合经典成核理论计算成核动力学参数,以期理解LLM‑105反溶剂结晶的成核行为,为LLM‑105晶体产品质量控制提供理论参考。

2 理论基础

根据经典成核理论,物质在特定的温度下在溶剂里的溶解度是恒定的,当溶液达到过饱和时,溶液处于不平衡状态,整体吉布斯自由能降低,形成临界尺寸的晶核,成核速率和过饱和度比关系如式(1)[

26-29]

J=Aexp-ΔGckT=Aexp-16πγ3Vm33k3T3ln2S (1)

式中,A为指前因子;ΔGc为临界成核自由能;γ为界面张力,J·m-2Vm为分子摩尔体积,m3·mol-1Vm=M/ρ=112.933 m3·mol-1M为摩尔质量,ρ为密度);k为玻尔兹曼常数,k=1.380649×10-23K-1T为绝对温度,K;S为过饱和度比。

过饱和度是溶液结晶的驱动力,对于反溶剂结晶,通过加入反溶剂降低溶质在溶液中的溶解度从而达到过饱和,反溶剂的加入使溶液达到过饱和的同时也在稀释溶液,因此,反溶剂结晶过饱和度可以定义为溶质加入反溶剂前后浓度差值,过饱和度比可以简化[

30-31]

S=CC*  (2)

式中,C为溶液浓度,g·mL-1C*为加入反溶剂时达到的平衡浓度,g·mL-1

诱导时间是描述成核速率的一个重要参数,并且和成核速率成反[

32-33],如式(3)

tindJ-1 (3)

因此,可以将式(1)式(3)改为关于诱导时间和过饱和度比的关系式(4)

lntind=K+16πγ3Vm33k3T3ln2S (4)

式中,K为无量纲的经验常数,根据式(4)可知,在恒定温度情况下可以绘制出关于lntind和1/ln2S的直线,该直线的斜率B为:

B=16πγ3Vm23k3T3 (5)

在特定温度和溶液组合下溶质结晶界面张力γ可以从斜率B中获[

34]:

γ=3BkT316πVm21/3 (6)

根据界面张力γ,可以通过下式进一步求得表面熵因子f [

35]

f=4Vm2/3kT (7)

这些参数的定义与式(1)相同,计算出的f值可以进一步识别晶体生长的机理。当f ≤ 3时,晶体的生长方式为连续生长机制;当3 < f<5时,晶体的生长方式为表面成核生长机制;当f ≥ 5时,晶体的生长方式为螺旋生长机[

36-37]

对于经典均相成核理[

32],形成稳定晶核所需要的能量可以用式(8)[33,38]

ΔGc=16πγ3Vm23kTlnS2=4/3πr2γ (8)

根据式(8)可以计算出临界晶核半径:

r=2γVmkTlnS (9)

临界成核数量可以由(10)式计算:

i=4πr33Vm (10)

3 实验部分

3.1 试剂与仪器

LLM‑105原料由中国工程物理研究院化工材料研究所提供(纯度>99%),DMSO、乙酸乙酯,天津致远化学试剂有限公司,均为分析纯直接使用,超纯水,自制。

Crystal SCAN多通道结晶仪(E1320,United Kingdom He.,Ltd.),其原理可参看文献[

39-40],主要通过浊度法检测溶液中新相的产生。

图1 诱导期测定试验装置图

Fig.1 Sketch of the apparatus for determination of inducing time

3.2 实验过程

根据LLM‑105在DMSO中的溶解度曲线[

39],称取一定量的LLM‑105溶解于DMSO溶剂中,在303.15 K配制成0.03 g·mL-1的饱和溶液,将溶液升温至313.15 K,搅拌0.5 h以上确保完全溶解。然后量取6 mL溶液并小心地移入303.15 K的多通道结晶仪反应瓶中,待饱和溶液在303.15 K恒温搅拌1 h后,迅速加入一定量的乙酸乙酯,记录溶液浊度随时间的变化情况。为了避免局部过饱和的发生,乙酸乙酯加入时应靠近磁力搅拌子的边缘。设计了如表1所示的9组实验,为确保实验的可靠性,每组实验重复3次。

表1 实验参数及其对应的过饱和度比
Table 1 Experimental procedure of different LLM‑105 supersaturation ratios
entryLLM‑105 concentration / g·mL-1reaction temperature / K

stirring rate

/ r·min-1

volume of LLM‑105 / mLvolume of ethyl acetate / mLsupersaturation ratio
A‑1 0.03 303.15 300 6 5 1.83
A‑2 0.03 303.15 300 6 6.25 2.04
A‑3 0.03 303.15 300 6 7.5 2.25
A‑4 0.03 303.15 300 6 8.75 2.46
A‑5 0.03 303.15 300 6 10 2.67
A‑6 0.03 303.15 300 6 12.5 3.08
A‑7 0.03 303.15 300 6 15 3.50
A‑8 0.03 303.15 300 6 17.5 3.92
A‑9 0.03 303.15 300 6 20 4.33

3.3 诱导期(tind)的确定

通过测量LLM‑105溶液在结晶过程中的浊度变化情况来确定诱导期。图2为LLM‑105反溶剂结晶过程中溶液浊度随时间变化的关系图。图2中a点代表反溶剂刚加入时的点,由于反溶剂刚加入时,与溶液混合不均,溶剂与反溶剂界面会产生小气泡,导致浊度曲线出现抖动情况,从图2可以看出,小气泡消失需要10~20 s的时间,为了消除小气泡对诱导期的影响,设计实验时,诱导期应大于30 s。图2中b点代表浊度开始增大的点,记为成核现象发生点。本研究中,从反溶剂开始加入到浊度开始升高所经历的时间记为诱导期(tind)。

图2 LLM‑105溶液浊度与时间关系曲线

Fig.2 Curve of turbidity VS induction time in LLM‑105 anti‑solvent crystallization

4 结果与讨论

4.1 过饱和度对诱导期的影响

在相同的反应温度、初始浓度、搅拌速度实验条件下,研究了过饱和度对LLM‑105结晶过程中的成核诱导期的影响。图3为诱导时间与过饱和度比的关系曲线,图4为不同过饱和比下浊度随时间曲线变化图。

图3 LLM‑105反溶剂结晶过程中过饱和度比与诱导期的关系

Fig.3 Relations between induction time and supersaturation ratio of LLM‑105 anti‑solvent crystallization

图4 不同饱和度比下浊度随时间变化曲线

Fig.4 Curves of various turbidity over time at different saturation ratios

图3可看出,过饱和度显著影响LLM‑105的结晶过程,随着过饱和比的增加,诱导期随之减少。当过饱和度比为1.83~2.67时,诱导期随过饱和度比的增加降低趋势比较明显,当过饱和度比为2.67~4.33时,诱导期随过饱和度比的变化比较平缓。结果表明,随着过饱和度比的增加,成核驱动力明显提高,结晶诱导期缩短,使晶核形成更加容易。同时,由图4可知,当过饱和度比为2.67~4.33的情况下,浊度曲线较陡峭,浊度一旦增大,就快速达到最大浊度值。而在过饱和度比为1.83~2.67的情况下,浊度曲线比较平缓,当晶体成核出现后,晶体缓慢长大,浊度缓慢达到最大值。可见,低过饱和度减低了成核推动力,成核速度慢,晶体生长也慢,有利于控制成核和生长,但结晶时间长,反溶剂用量小。高过饱和度增大了成核推动力,成核速度快,晶体生长也快,结晶时间短,反溶剂消耗量大,但容易产生大量细晶,不利于晶体粒度控制。本研究结果在LLM‑105的结晶生产中过饱和度的选择提供理论指导,既能节约成本,又能达到成核和生长的有效控制。

4.2 成核动力学参数的计算

首先,根据经典成核理论,采用获得的成核诱导期实验数据,根据公式(4),绘制lntind与1/ln2S的关系图,经过线性拟合,得到两条不同斜率的直线,由图5可见,这意味着LLM‑105在反溶剂结晶中两种不同的成核机理,因为成核机理的改变可以根据直线斜率的变化区[

41-42],在高过饱和度比下,由于溶液中具有足够的驱动力,因此均相成核是主要机理,但是,在低过饱和度比时,异相成核是主要机理,异相成核通常是由异物(例如灰尘)引起的,从而降低了新晶体成核所需的能量。

图5 LLM‑105反溶剂结晶ln2S与lntind关系曲线

Fig.5 Dependence of ln2S on the lntind of LLM‑105 anti‑solvent crystallization

经计算,两条直线的交点所对应的过饱和度比S值为2.53,因此可以判定过饱和度比在S<2.53范围时,LLM‑105反溶剂结晶为异相成核,过饱和度比在S>2.53范围,LLM‑105反溶剂结晶为均相成核。根据公式(6),通过斜率值可以进一步计算得到界面张力γ值。结合公式(7),可进一步计算得到表面熵因子,结果如表2所示。

表2 lntind和1/ln2S线性回归分析拟合参数
Table 2 Results of the regression analysis of lntind VS 1/ln2S
NucleationSKBR2γ / J·m-2f
Homogeneous >2.53 -1.32235 2.90528 0.96621 9.98942×10-23 2.23
Heterogeneous <2.53 1.04576 0.86765 0.98697 6.67717×10-23 1.49
注:

S is the supersaturation ratio. K is the intercept. B is the slope. R2 is the coefficient of correlation.γ is the interfacial tension. f is the surface entropy factor.

两条直线的相关系数R2大于0.96,说明实验数据与公式(4)的拟合度较好。LLM‑105反溶剂结晶在高过饱和度比S>2.53时和低过饱和度比S<2.53时得到的表面熵因子f值分别为2.23和1.49,均小于3,可见,LLM‑105在反溶剂结晶过程中的生长方式为连续生长机制。

再根据公式(1),(9),(10),可以进一步计算得到成核速率(J)以及均相成核时的临界晶核半径(r)和临界成核数量(i)等参数,结果见表3

表3 LLM‑105反溶剂结晶成核动力学参数
Table 3 Summary of nucleation data for LLM‑105 anti‑solvent crystallization.
SJ / cm-3·s-1r / cmi
2.67 4.40148×1028 5.48914×10‑8 6.13451
3.04 1.49413×1029 4.84843×10‑8 4.22738
3.50 3.0742×1029 4.3031×10‑8 2.95537
3.92 4.34223×1029 3.94612×10‑8 2.27918
4.33 5.32727×1029 3.67828×10‑8 1.84587
注:

S is the supersaturation ratio. J is the nucleation rate. r is the the radius of the critical nucleus. i is the number of molecules in the critical nucleus.

图6为均相成核S<2.53范围内成核速率与过饱和度比的关系图。由图6可知,过饱和度比为2.67~4.33时,成核速率随着过饱和度比的增加而增加。因此,在一定范围内,增加过饱和比可以提高晶核的形成速度,缩短诱导时间。

图6 过饱和度比与成核速率的关系图

Fig.6 Curve of supersaturation ratio VS nucleation rate

图7分别为过饱和度比与临界晶核半径和临界成核数量之间的关系图。临界晶核半径和临界成核数量均随着过饱和度比的增加而减小。当S=3.5时,临界晶核半径和临界成核数量分别为4.3031×10-8 cm,2.95537。

图7 过饱和度比与临界晶核半径和临界成核数量的关系图

Fig.7 Curve of supersaturation ratio VS radius of nucleus and the number of molecules in the critical nucleus.

5 结 论

(1)在LLM‑105反溶剂结晶过程中,过饱和度显著影响LLM‑105的成核。成核诱导期随着过饱和度比的增大而降低,当过饱和度比为1.83~2.67时,诱导期随过饱和度比的增加降低趋势比较明显,当过饱和度比为2.67~4.33时,诱导期随过饱和度比的变化比较平缓。

(2)基于获得的成核诱导期实验数据,结合经典成核理论进行计算,结果表明,当过饱和度比S<2.53时,主要发生异相成核;当S>2.53时,主要发生均相成核。当过饱和度比S<2.53时,界面张力γ值为6.67717×10-23m-2,表面熵因子f值为1.49;当S>2.53时,界面张力γ值为9.98942×10-23m-2,表面熵因子f值为2.23。计算获得的表面熵因子f值均小于3,表明LLM‑105在乙酸乙酯反溶剂中的生长方式为连续生长机制。

(3)基于获得的成核诱导期实验数据,结合经典成核理论,进一步计算得到了不同过饱和度比条件下LLM‑105的成核速率J,临界晶核半径r和临界成核数量i等成核参数。结果表明,均相成核时,成核速率随着过饱和比的增加而增加,临界晶核半径和临界成核数量均随着过饱和度比的增加而减小。

(责编: 高 毅)

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