奥克托今(HMX)是第二代含能材料中能量最高的单体炸药, 作为固体火箭推进剂、起爆药或传爆药主要成分, 广泛应用于军事、航天及石油与天然气开采等领域[1-3]。目前, 改进晶体品质是提高HMX安全性的重要途径, 而溶液结晶法是改善晶体品质最常用的方法之一。从分子水平探讨HMX溶液结晶的微观过程, 可为高品质HMX结晶技术的发展提供理论基础。
近年来, 分子动力学(MD)模拟已成为在分子水平上研究液相和晶相的主要方法, 是材料辅助设计的重要途径之一[4-6]。1983年Broughton[7]首次成功研究了液态氩的晶体生长, 这标志着MD模拟开始应用于研究晶体生长。目前MD模拟不仅用来研究简单分子的生长过程, 还用在离子晶体[8]、无机非金属单质[9]、金属单质[10]、半导体化合物[11]、聚合物[12]、水合物[13]、氨基酸[14]等物质生长。但关于HMX溶液结晶的MD模拟研究, 还鲜见文献报道。
本文采用MD方法, 利用Materials Studio模拟软件, 构建HMX/二甲亚砜(DMSO)混合体系模型, 计算不同温度下HMX与DMSO的扩散系数(
所有计算与模拟过程都在Materials Studio (MS) 3.0上完成。首先用Forcite模块[15]对DMSO分子进行几何优化, 力场为Dreiding力场[16], 方法采用smart方法, 精度为0.418 J·
将上述优化好的体系, 用Forcite模块进行分子动力学模拟, 选择正则系综(NVT)[18], 在Nose恒温[19]热浴下进行, 热浴的广义质量(
采用分子动力学模拟技术, 判断系统是否达到平衡可依据能量和温度曲线进行判定。图 1为模拟温度为298 K时, 分子动力学模拟的能量和温度曲线, 从图 1中可以看出, 经过350 ps的动力学模拟, 系统的能量和温度渐趋平衡, 波动幅度均在10%左右, 说明此时模拟体系已达平衡。
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图 1 298 K时MD模拟的能量和温度曲线 Fig.1 Energy and temperature curves of MD simulations at 298 K |
扩散系数(
$\begin{eqnarray} R(t)=〈\left|\vec{r}(t)-\vec{r}(0)\right|^{2}〉 \end{eqnarray}$ | (1) |
式中,
$\begin{eqnarray} \lim\limits_{t→∞}〈\left|\vec{r}(t)-\vec{r}(0)\right|^{2}〉=6Dt \end{eqnarray}$ | (2) |
当计算时间足够长时, 粒子的扩散系数可由MSD曲线的线性部分拟合得到。
对278~378 K的HMX/DMSO混合体系, 利用MD模拟得到相应温度下的MSD曲线(见图 2a), 取350~700 ps的数据计算其斜率值, 由方程(2)得到不同温度下DMSO分子在HMX/DMSO混合体系中的扩散系数(图 2b)。从图 2a可以看出, DMSO分子的MSD随温度的升高而增加, 这是由于分子在高温下的运动更为剧烈。图 2b显示, DMSO分子的扩散系数呈现随温度的升高而增加的变化趋势。按照结晶学原理, 溶剂分子的快速运动, 将不利于溶质分子的聚集成核。从这个意义上讲, 高温不利于HMX的结晶, 但HMX分子本身的扩散系数对其结晶更为重要, 因此下节研究HMX在DMSO溶液中的扩散情况。
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图 2 HMX/DMSO混合体系中不同温度下DMSO的均方位移和扩散系数 Fig.2 Mean squrare displacements and diffusion coefficients of DMSO at different temperatures in the mixed system |
使用同样的方法, 可以得出不同温度下HMX分子在HMX/DMSO混合体系中的扩散系数。图 3a表示混合体系中HMX分子在不同温度下的MSD曲线。图 3b给出了混合体系中HMX分子在不同温度下的扩散系数。可以看出随着温度的升高, HMX分子的扩散系数是先增大后减小, 然后再增大。在358K时, HMX分子的扩散系数出现了一定程度的下降, 说明在该温度下溶液中HMX分子更易团聚成核, 导致溶液中游离的HMX分子减少。
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图 3 HMX/DMSO混合体系中不同温度下HMX的均方位移和扩散系数 Fig.3 Mean squrare displacement and diffusion coefficients of HMX at different temperatures in the mixed system |
HMX和DMSO分子间结合能[22]用(3)式计算:
$\begin{eqnarray} E_{\text{bind}}=E_{\text{HMX}}+E_{\text{DMSO}}-E_{\text{D}—\text{H}} \end{eqnarray}$ | (3) |
式中,
由(3)式得到不同温度下HMX与DMSO的分子间结合能(表 1)。表 1显示HMX与DMSO分子间相互作用力主要为范德华力, 静电作用力所占比例较小。分子间结合能随温度的增加先减小后增大, 在358 K时最小, 说明在此温度下HMX与DMSO相互作用最小, 从而有利于HMX分子之间的结合, 促进HMX晶核的形成, 这与HMX扩散系数的计算结果相一致。由于模拟结果还受到时间和空间尺度以及参数设置等的影响, 因此上述结论有待进一步的实验验证。
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表 1 不同温度下HMX与DMSO分子间结合能 Tab.1 Intermolecular binding energies between HMX and DMSO at different temperatures |
Rodger等[23-24]报道, 在晶体生长模拟过程中, 可以通过测量溶液中溶质之间的距离来判断是否有晶核产生。采取类似的方法, 可以通过测量DMSO溶液中HMX分子之间的距离, 来确定是否形成相应的晶核。由于室温下HMX稳定存在的晶型为
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图 4 |
测得晶胞中O(1)—H、O(2)—H和C—N的距离分别为2.642, 2.759, 3.627 Å。随后计算在不同模拟时间, DMSO溶液中HMX分子间对应原子之间的间距, 即O(1)—H、O(2)—H和C—N, 结果如表 2所示。在模拟过程开始之前(0 ps), O(1)—H、O(2)—H和C—N的距离较大, 分别为3.079, 4.531, 4.256 Å。这是由于HMX分子均匀分散在DMSO中, 分子间没有发生聚集。大约经过500 ps的模拟之后, 溶液中相邻两个HMX分子的O(1)—H、O(2)—H和C—N间距近似等于
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表 2 不同模拟时间各原子间的距离 Tab.2 Interatomic distance in HMX at different simulated time |
为了更好地描述HMX在DMSO溶液的结晶过程, 进一步考察了不同模拟时间HMX分子的运动轨迹(见图 5)。可以看出,在100~400 ps之间, 模拟体系中有较多游离的HMX分子存在, 说明HMX分子间相互作用力较弱, 分子团聚现象不明显。在500~800 ps时游离HMX分子减少, 可以观察到明显的分子团簇, 说明500 ps后溶液中开始有晶核出现, 且能稳定存在。
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图 5 HMX分子在不同模拟时间的聚集形态 Fig.5 Aggregated morphology of HMX molecules at different simulated time |
利用MD方法研究了温度对HMX/DMSO混合体系结晶过程的影响, 得到如下结论:
(1) 温度为358 K时, 溶液中HMX分子更易聚集, 导致溶液中游离的HMX分子减少, 扩散系数呈下降趋势。
(2) HMX与DMSO分子间相互作用主要为范德华力, 其次为静电相互作用, 在358 K时二者的结合能最小,为2046 kJ·
(3) 在HMX的DMSO溶液中, 模拟时间为500 ps时可明显观察到HMX分子的团聚现象; 500 ps后溶液中开始有晶核出现, 且能稳定存在。
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The effect of temperature on the crystallization of cyclotetramethylene tetranitramine (HMX) in dimethylsulfoxide (DMSO) solvent was investigated by molecular dynamics simulation. The diffusion coefficients of DMSO and HMX and binding energy between HMX and DMSO were calculated in 278-378 K. The process of nucleus formation of HMX was simulated at 298 K.